此前我们谈论碳化硅应用推进节奏时，几乎大家都会提到一个关键词就是“价格高昂”。而在“降本”这个大方向上，衬底因为价值量高，占到整个碳化硅器件价值的50%以上，成了重中之重。实际上，从材料角度看，碳化硅材料的降本相比较硅而言难度更高，这主要体现在长晶速度慢、生长条件严苛、易产生多型夹杂缺陷影响良率，切磨抛难度更大等多个方面。

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但近期，“碳化硅衬底和外延材料报价有松动。”是InSemi在进行行业调研时大家的普遍感受。近两年碳化硅材料凭借禁带宽度、击穿电场、导热率等方面更高的性能表现，在各大下游中的应用推进迅速。可以说目前碳化硅除了价格比IGBT更高之外已经几乎没有任何缺点，在实用性、下游客户接受度等方面均有良好表现。为进一步推动碳化硅的应用渗透加快，衬底降本是必行之路。

根据了解，目前市场价格有松动的主要原因在以下几个方面：

按照实际出货情况看，以天科为代表的头部国产衬底企业，6英寸导电型衬底月出货量已超过或接近10000片/月，规模量产后，对研发成本的投入可以进行一定程度的打平，从而促成衬底降本的达成。

下游二极管市场“价格战”倒逼衬底降本节奏加快

瀚天天成：8吋外延获14亿订单

7月6日，瀚天天成宣布，他们在上周签署了多项长期合约，其中包括价值超过1.92亿美元（约13.91亿人民币）的8英寸SiC长期合约。

据瀚天天成介绍，瀚天天成2023年在手订单已达35万片，全球占比高达43.7% 及32.7%。瀚天天成签订的2023年度订单超过了原全球龙头企业年产能的3倍多。

●中电化合物：8吋SiC即将交付韩国Power Master

近日，中电化合物董事潘尧波在南沙某论坛上表示，今年8月份，他们第一批8英寸碳化硅外延片将会向客户交货。

6月19日，中电化合物与韩国Power Master公司签署了关于SiC的战略合作协议。根据协议，前者将向后者供应包括8英寸SiC材料在内的半导体产品。

在6月15号Insemi组织的会议上，还是有很多应用端客户表示，碳化硅商业应用的最大问题之一是成本，站在下游的角度上看，何时能讲碳化硅的成本降低到硅的1.5倍左右，就能迎来真正的“甜蜜点”。

虽然目前看有一定空间，但目前我们可以看到国内产业链同行们一直在努力。衬底端现在可谓是直径能扩就扩；厚度能长尽长。应该很快在某个方向国内企业会有惊人的突破。

行业共识是，碳化硅功率器件可显著提高电能利用率，已成为功率半导体行业的主要发展方向。在可预见的未来，电动汽车汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。随着碳化硅器件制造工艺技术的逐步成熟，掣肘碳化硅规模应用的成本也将日渐降低，未来碳化硅功率器件前景可期。